Then, Han Wui: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (9)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Gate-recessed E-mode p-channel HFET with high on-current based on GaN/AlN 2D hole gas

Bader, Samuel James, Chaudhuri, Reet, Nomoto, Kazuki, Hickman, Austin, Chen, Zhen, Then, Han Wui, Muller, David A., Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2018

2

4-GHz Modulation Bandwidth of Integrated 22 LED Array

Chao-Hsin Wu, Walter, G., Han Wui Then, Feng, M., Holonyak, N.

Журнал:

IEEE Photonics Technology Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 388 KB

english, 2009

3

The Transistor Laser: Theory and Experiment

Then, Han Wui, Feng, Milton, Holonyak, Nick

Журнал:

Proceedings of the IEEE

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.29 MB

english, 2013

4

[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - First Demonstration of a Self-Aligned GaN p-FET

Chowdhury, Nadim, Xie, Qingyun, Yuan, Mengyang, Rajput, Nitul S., Xiang, Peng, Cheng, Kai, Then, Han Wui, Palacios, Tomas

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 14.01 MB

english, 2019

5

[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - 3D heterogeneous integration of high performance high-K metal gate GaN NMOS and Si PMOS transistors on 300mm high-resistivity Si substrate for energy-efficient and compact power delivery, RF (5G and beyond) and SoC applications

Then, Han Wui, Huang, C. Y., Krist, B., Jun, K., Lin, K., Nidhi, N., Michaelos, T., Mueller, B., Paul, R., Peck, J., Rachmady, W., Dasgupta, S., Staines, D., Talukdar, T., Thomas, N., Tronic, T., Fisc

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 5.44 MB

english, 2019

6

Regrowth-free GaN-based Complementary Logic on a Si Substrate

Chowdhury, Nadim, Xie, Qingyun, Yuan, Mengyang, Cheng, Kai, Then, Han Wui, Palacios, Tomas

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2020

Файл:

PDF, 2.37 MB

2020

7

[IEEE 2019 Device Research Conference (DRC) - Ann Arbor, MI, USA (2019.6.23-2019.6.26)] 2019 Device Research Conference (DRC) - High-K Gate Dielectric GaN MOS-HEMTs with Regrown n+ InGaN Source/Drain (Invited Paper)

Then, Han Wui, Dasgupta, Sansaptak, Radosavljevic, Marko, Gardner, Sanaz, Sung, Seung Hoon, Fischer, Paul

Рік:

2019

Файл:

PDF, 540 KB

2019

8

Prospects for Wide Bandgap and Ultrawide Bandgap CMOS Devices

Bader, Samuel James, Lee, Hyunjea, Chaudhuri, Reet, Huang, Shimin, Hickman, Austin, Molnar, Alyosha, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep, Then, Han Wui, Chowdhury, Nadim, Palacios, Tomas

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2020

Файл:

PDF, 1.73 MB

2020

9

Gallium Nitride and Silicon Transistors on 300 mm Silicon Wafers Enabled by 3-D Monolithic Heterogeneous Integration

Then, Han Wui, Radosavljevic, Marko, Jun, Kimin, Koirala, Pratik, Krist, Brian, Talukdar, Tushar, Thomas, Nicole, Fischer, Paul

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2020

Файл:

PDF, 3.50 MB

2020